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氣體分析儀器介紹 2020-03-06     總瀏覽:4312

在半導體領域中,磁控濺射鍍膜工藝對靶材所含的氣體和夾雜異常敏感,因為氣體和夾雜會導致等離子體異常放電和顯微顆粒的噴射,破壞和降低濺射薄膜質量,導致薄膜缺陷增加,控制濺射靶材中氣體和夾渣對控制濺射薄膜質量有巨大影響。本公司擁有美國LECO公司的最新型號的三臺氣體分析儀,分別為CS844,ON836,RHEN602,可以用于高純金屬材料當中氣體元素的檢測。三臺分析儀的優點是1.分析速度快2.準確性高 3.氣體元素含量檢測限低,CSON元素能達到1ppm,H含量能達到0.1ppm級別 4.具有較高的自動化配置,自動清掃裝置,外加分析界面的觸摸屏和靈活適用的軟件,對返工樣品可插入操作,不需要重新輸入試樣標識等。

 

 

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